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射频功率


 
飞思卡尔半导体的射频解决方案 — 您现在和未来需要的唯一解决方案

飞思卡尔半导体公司最近推出了一系列新的InGaP HBT通用放大器(GPA),可用于各种A级、小信号、高线性通用应用。与市场上的同类产品相比,该产品系列能以更佳的热性能参数和现场可靠性,提供高产量生产和插入替代功能。

 
 
 
 
 
 

射频LDMOS模型概述

飞思卡尔半导体公司推出LDMOS MET模型和LDMOS Root模型,继续扩展LDMOS模型库。LDMOS模型库(Root和MET)中的所有产品模型包括封装、引线接合和内部匹配网络效应。

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模型合作伙伴


Agilent EEsof ADS
APLAC Analog Design Tool
AWR Microwave Office
Ansoft Designer
Eagleware GENESYS

参考设计


射频功率参考设计可提供:
• 为特定标准广播格式调节的射频性能
• 低成本组件选择
• 完整的BOM、设计图、PCB 和所有设计信息
• 完整的偏压温度补偿电路
• 广泛的射频特性

飞思卡尔半导体公司很高兴为您提供专用参考设计。这些专用参考设计展示了我们的射频晶体管的众多用途。它们为设计工程师提供了快捷、精确的工具,可用于评估高性能封装,完全了解设备在各种不同运行条件下的特性。

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射频技术数据

应用备注
根据设备技术、频率范围和功能,在线访问射频和中频应用的备注

射频产品包
按产品、功能和工具包索引射频设备的在线案例

磁带与卷规范
访问射频和中频产品的最新带卷规范

应用

EDGE调制的LDMOS晶体管
全球主要蜂窝电话业务标准正在经历现代化演进,以提供更快的数据传输速率,除语音通信外,它还会增加短文本消息服务。

射频线性化
基站中的射频(RF)功率放大器面临的最大问题之一是线性要求。各种监管机构(如 FCC和ETSI)对需要带宽以外的杂散发射进行了限制,此外,它们还制定了分配频率的邻近信道的干扰限制。

售后服务支持概述

售后服务支持列出了已经停产的 飞思卡尔半导体设备,并推荐了替代产品和以下供应商提供的售后服务支持

 

售后服务供应商


Infineon
Lansdale
M/A--COM
Advanced Power Technology RF
NEC
ON 半导体
飞利浦
 
 
 

最新动态

新闻

飞思卡尔开发出高功率塑料封装,能够在200摄氏高温下持续运行
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飞思卡尔提高CDMA、 GSM 和 EDGE基础设施设备的射频晶体管性能
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活动

2004 国际微波研讨会 美国德克萨斯州Fort Worth,6月6–11日
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Smart Networks Developers Forum 2004 Europe, September 28–30, 2004.
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白皮书

适用于手机和3G基站的高功率射频 LDMOS晶体管的低电阻(Rth)设备封装
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新闻室

新闻。  关于射频和中频的最新新闻。
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活动。  您可以在交易会和研讨会上找到射频和中频代表性产品。
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一般信息
 

飞思卡尔半导体射频解决方案

射频和中频产品指南

外部链接
 
RFGlobalNet
射频和无线设计行业的信息来源

 
订购信息
 

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