飞思卡尔半导体公司最近推出了一系列新的InGaP HBT通用放大器(GPA),可用于各种A级、小信号、高线性通用应用。与市场上的同类产品相比,该产品系列能以更佳的热性能参数和现场可靠性,提供高产量生产和插入替代功能。
飞思卡尔半导体公司推出LDMOS MET模型和LDMOS Root模型,继续扩展LDMOS模型库。LDMOS模型库(Root和MET)中的所有产品模型包括封装、引线接合和内部匹配网络效应。
更多
应用备注 根据设备技术、频率范围和功能,在线访问射频和中频应用的备注
射频产品包 按产品、功能和工具包索引射频设备的在线案例
磁带与卷规范 访问射频和中频产品的最新带卷规范
EDGE调制的LDMOS晶体管 全球主要蜂窝电话业务标准正在经历现代化演进,以提供更快的数据传输速率,除语音通信外,它还会增加短文本消息服务。
射频线性化 基站中的射频(RF)功率放大器面临的最大问题之一是线性要求。各种监管机构(如 FCC和ETSI)对需要带宽以外的杂散发射进行了限制,此外,它们还制定了分配频率的邻近信道的干扰限制。
售后服务支持列出了已经停产的 飞思卡尔半导体设备,并推荐了替代产品和以下供应商提供的售后服务支持
飞思卡尔开发出高功率塑料封装,能够在200摄氏高温下持续运行 更多 飞思卡尔提高CDMA、 GSM 和 EDGE基础设施设备的射频晶体管性能 更多
2004 国际微波研讨会 美国德克萨斯州Fort Worth,6月6–11日 更多 Smart Networks Developers Forum 2004 Europe, September 28–30, 2004. 更多
适用于手机和3G基站的高功率射频 LDMOS晶体管的低电阻(Rth)设备封装 更多
新闻。 关于射频和中频的最新新闻。 更多
活动。 您可以在交易会和研讨会上找到射频和中频代表性产品。 更多
飞思卡尔半导体射频解决方案
射频和中频产品指南
外部链接 RFGlobalNet射频和无线设计行业的信息来源
点击下面任何一个订阅链接,将选中的类别添加到您感兴趣的列表中,您就可以收到更新的定制电子邮件。