飞思卡尔针对下一代工业控制和消费电子微控制器推出基于FlexMemory的90纳米(nm)薄膜存储器 (TFS) 闪存技术具有出色的性能、价值、可靠性和低功耗。

  • 通过革命性的纳米硅技术提供业内领先的比特级可靠性
  • 快速、低电压晶体管支持低功耗读取功能，闪存工作状态下的电压仅为1.71伏，可满足需求日增的各种功耗敏感型应用
  • 闪存读取时间不到30纳秒；具有出色的面积效率，可在各种闪存容量上实现丰富的存储和外设集成，同时保持最佳MCU成本

90纳米TFS与FlexMemory优点

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飞思卡尔基于FlexMemory 技术的90纳米TFS闪存

飞思卡尔针对下一代MCU推出基于FlexMemory技术的90纳米薄膜存储器(TFS)闪存
(视频-6:34分钟)

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