不断优化工艺
飞思卡尔工艺技术推动市场创新，提高器件性能、降低功耗，减小封装尺寸。尽管技术投入越来越高且更具技术挑战性，但从经济角度看，可以不断提高最终解决方案的成本/功效比。飞思卡尔在提高性能和丰富技术构成方面始终致力于提供行业领先的路线图。
CMOS技术
飞思卡尔高性能互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺技术，即HiPerMOS，是支持无线、网络、运输和家居网络市场片上系统(SoC)应用的关键技术。
新型90纳米薄膜存储器(TFS)
90纳米TFS技术提高了可靠性、降低芯片成本并具有出色的低功耗性能。TFS配置的FlexMemory是一种用户可配置的电可擦只读存储器(EEPROM)和/或编程处理器。用作EEPROM时，FlexMemory耐用性、性能和灵活性达到同类产品领先水平，支持无缝读/写操作。
砷化镓 (GaAs) MOSFET
飞思卡尔将高性能砷化镓(GaAs)半导体器件，与传统金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的优点相结合，开发出业内首款商品化MOFSET器件。
倒T型场效应晶体管(ITFET)
飞思卡尔发明的ITFET器件突破了传统CMOS尺寸极限，并解决了垂直多栅问题，在业内首度实现单个晶体管内部垂面与平面复锡相结合的主体结构。
RF研发
飞思卡尔开发出连接模拟与数字环境的差分射频(RF)器件和支持技术。
传感器
飞思卡尔开发了先进的传感技术支持检测运动、倾斜、液面、加速度、压力、烟雾检测等应用。飞思卡尔是基于MEMS(微机电系统)传感器的领导者。
SMARTMOS™技术
飞思卡尔自主研发的SMARTMOS™技术延长SMARTMOS 10W无线器件的电池使用寿命，为SMARTMOS 10T汽车和工业应用提供下一代电源管理功能。
应变硅绝缘层上复矽(sSOI)
sSOI晶体管具有SOI性能和应变硅增强载流子迁移率的特点，与传统技术相比，性能提高30%，有源功耗降低40%以上。
您知道吗?
-
飞思卡尔拥有多项第一：
- 推出业内首款低功耗超薄PDSOI解决方案
- 业内第一个实现低K器件量产
- 推出业内首款超低K解决方案(65纳米)
- 推出业内首款高K MIM去耦技术
- 首个降低FBE的结工程设计
- 推出业内首款“旋转基片”
了解更多
需要了解详细技术说明吗?请阅读我们的技术论文。
 返回页首
|
|
高级多门栈技术
|
|
|
|
|
CMOS(互补型金属氧化物半导体)技术平台
|
|
|
|
|
|
飞思卡尔氮化镓技术实现RF器件性能阶梯函数改进
|
|
|
|
|
|
倒T型场效应晶体管(ITFET)
|
|
|
|
|
|
基于微机电系统(MEMS)的传感器技术
|
|
|
|
|
|
SMARTMOS电源技术
|
|
|
|
|
|
射频(RF)与模拟/混合信号芯片技术
|
|
|
|
|
|
绝缘层上复矽
|
|
|
|
|
|
基于FlexMemory技术的薄膜存储器(TFS)
|
|
|
|
|
|
汽车雷达毫米波技术
|
|
|
|
返回页首
|
