|
|
飞思卡尔将向基础架构市场推出第七代RF LDMOS产品
在推出行业领先的第六代高压(HV6)LDMOS产品一年后,飞思卡尔将推出更高性能的HV7 2005年6月13日--无线基础架构设备的设计师们面临着对更低成本、更高性能和可靠性的日益增长的需求。飞思卡尔半导体(NYSE:FSL,FSL.B)正在通过加速开发和推出下一代横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)RF功率晶体管来帮助他们迎接这些挑战。 长期以来,飞思卡尔一直提供具有出色质量、可靠性和一致性的RF硅解决方案来帮助客户大幅降低成本并提高性能,第七代高压(HV7)系列RF晶体管的开发也延续了这一传统。 飞思卡尔副总裁兼RF业务部总经理Gavin P. Woods说:"我们基于的第七代LDMOS的产品正显示了飞思卡尔将如何继续推动RF功率的成本优化和出色性能。此外,我们在实现这些目标的同时,将继续提供市场期望从飞思卡尔身上得到的产品可靠性、质量和一致性。" 对希望提高盈利能力并满足最终客户对降低成本的需求的制造商来说,降低材料成本是一个主要手段。通过提供使用经济高效的超模压塑料封装和金属陶瓷封装(采用飞思卡尔低热阻(Low Rth)技术)的高功率RF晶体管,飞思卡尔正在帮助制造商满足这些需求。HV7产品中计划包括具有行业最高额定功率的封装设备。 简化设计和增益级数量减少也可为降低系统成本创造重要机会。飞思卡尔先进的HV7技术使RF晶体管显著提高了功率增益(使低增益级和中增益级的功率要求降低),从而实现了这些参数。HV7还支持大功率多级集成电路(ICs),能够简化设备配置并为节省板空间创造机会。 HV7技术还能够提高系统效率,这是无线设备设计中的另一项基本要求。最新一代的LDMOS技术实现了设备效率的显著提高,从而降低总系统功耗。总体系统效率的提高可以降低能耗和冷却要求,进而大幅降低运营支出。 飞思卡尔的HV7技术实现了成本、性能和可靠性之间的平衡 ,它将被视为目前市场上最有价值的LDMOS技术。
飞思卡尔半导体
飞思卡尔技术论坛
|