北京，2004年10月13日 - 飞思卡尔半导体公司(NYSE: FSL)与台积电公司TSMC(TAIEX: 2330, NYSE: TSM)已经签署了一项协议，将基于65纳米先进CMOS工艺、联合开发新一代SOI(绝缘硅)高性能晶体管前端技术。这一为期三年的协约同时也向台积电提供了飞思卡尔90纳米SOI技术的制造授权。

"飞思卡尔在SOI制造领域拥有领先的技术优势与丰富经验，而台积电也在晶圆代工业界领导着SOI等先进工艺技术的发展。"台积电研究发展部副总裁杨平说，"两家公司的双剑合壁，必将创造出更具竞争力的SOI技术。"

"早在四年以前，飞思卡尔就已开始向客户提供各种高性能的SOI产品。"飞思卡尔首席技术官Claudine Simson博士说，"长期以来，台积电是飞思卡尔重要的晶圆代工伙伴，也是我们设在法国格勒诺布尔市附近的Crolles2联盟研发中心的重要伙伴之一，其它两位重要伙伴是飞利浦和意法半导体(STMicroelectronics)。我们一直与台积电保持着非常良好的长期合作关系，我们也期望双方能在65纳米SOI高性能晶体管技术的研发方面有着更进一步的合作。"

实际上，台积电和飞思卡尔都在SOI技术领域有着多年的独立开发历史。自上世纪80年代中期以来，飞思卡尔已经开发出了三代SOI技术，并于2001年开始正式量产。迄今为止，飞思卡尔已向客户交付了700多万颗包含有SOI技术的芯片。目前，飞思卡尔正在其美国德州奥斯汀市丹诺贝尔中心的工厂中搭建90纳米CMOS SOI制造平台，以满足下一代高性能网络和计算产品的制造需求。台积电则是于上世纪90年代末、从0.13微米开始了其SOI技术的独立研发, 并已宣布推出了高性能的SOI器件和SRAM。

飞思卡尔与台积电的合作，势必将加速65纳米SOI技术的成熟，从而能为多个应用市场推出创新的芯片产品。在此次针对65纳米SOI高性能晶体管前端技术的联合开发过程中，双方将独立开发各自的65纳米金属化后端技术，以满足各自市场应用的特殊要求。飞思卡尔计划把此次合作所得的全部技术应用到Crolles2联盟研发中心的300毫米晶圆厂(该中心由飞思卡尔、飞利浦与意法半导体三方共有)，以制造出65纳米的SOI芯片。而台积电则可能把这些技术应用到其台湾的晶圆工厂，以为性能驱动的网络与计算应用市场制造出高速度的芯片产品。另外，预计台积电还将为便携式应用开发低功耗的SOI芯片产品。

关于SOI技术

与传统的大容量CMOS工艺技术相比，SOI工艺技术将使晶体管具有更快的开关速度，从而为那些要求高性能、高速度和低功耗的应用提供了极具吸引力的解决方案。这项技术也能被优化为超低功耗版本，满足便携式应用的低功耗要求。

作为标准CMOS工艺的一种改进技术，SOI技术通过在两层硅基板之间封入一个绝缘的氧化层(这与大容量CMOS工艺技术恰好相反)，从而将活跃的晶体管元件相互隔离。这减少了两层硅基板之间的电容值和活跃区域，降低了功耗和接面漏电流(junction leakage)，从而得到了更高速的数字电路。并且，通过采用高阻值的基底材料，提供了更加的绝缘性能，减少基板损耗(substrate losses)，这些都是RF功能的必要要求。飞思卡尔是业界率先解决SOI的技术挑战并导入量产的少数领先厂商之一。

"65纳米SOI高性能晶体管联合开发项目"将在飞思卡尔位于美国得克萨斯州奥斯汀市的丹诺贝尔中心进行，飞思卡尔此前就在该中心进行了SOI的技术研发与规模量产。

关于飞思卡尔半导体

飞思卡尔半导体(NYSE:FSL)是全球领先的半导体公司，为规模庞大、增长迅速的汽车、消费、工业、网络和无线市场提供嵌入式半导体产品。公司的前身为有50多年历史的摩托罗拉半导体部，并于2004年7月从摩托罗拉分拆出来，成为独立的公开上市公司。公司总部位于德州奥斯汀，并在全球30多个国家和地区拥有设计、制造和销售及研发机构。2003年，飞思卡尔半导体的销售收入为49亿美元。欲知详情，敬请访问公司网站：www.freescale.com。

关于台积电

台积电是全球最大的专业半导体晶圆代工服务商，在晶圆制造领域拥有领先的工艺技术，以及业界最大的工艺验证库、IP库、设计工具以及参考流程。该公司拥有两座先进的300毫米晶圆厂、五座8英寸晶圆厂和一座6英寸晶圆厂。台积电还在其全资子公司WaferTech和台积电上海分公司、以及合资的SSMC晶圆工厂拥有充沛产能。2001年初，台积电与其客户在全球率先宣布进行90纳米工艺研发项目，台积电总部位于台湾新竹。欲知详情，敬请访问www.tsmc.com。