飞思卡尔半导体采用先进的互补型金属氧化物半导体（CMOS）工艺，以及包括绝缘层上复矽（SOI）和功耗管理技术在内的各种专业技术提供战略代工服务（(gdsii穿孔電極晶片），通过大量增值服务帮助您以具有竞争力的成本在竞争中率先将新产品推向市场。飞思卡尔还拥有各种电镀技术，可采用世界一流的嵌入式被动元件、蚀刻电路、共晶合金与低alpha焊膏、高引脚凸点互连、BCB钝化涂复等制程生产凸点互连和多层印刷电路板。飞思卡尔凭借成套技术竞争优势，可以提供各种集成式通信和系统解决方案。

主要工艺技术

SOI
绝缘层上复矽（SOI）是近年来出现的一种高性能半导体晶片生产技术，与传统块硅技术相比，这种技术可生产高性能、低功耗（动态）器件。飞思卡尔半导体目前已投产及/或开发0.18μ, 0.13μ, 90nm和65nm SOI技术。飞思卡尔基于绝缘层上复矽技术的器件供货数量已达到700多万件。

RF BiCMOS (SiGe:C)
我们生活的世界是模拟，因此RF BiCMOS 技术通常用于中频无线产品，支持我们日常生活实现数字化的混合信号和高密度应用。飞思卡尔提供各种经济高效的RF BiCMOS，用以提高客户最终产品的竞争力。从低噪声SiGe:C HBT、RF CMOS到世界一流的嵌入式被动元件，飞思卡尔代工服务伙伴可根据自己的应用选择最佳解决方案。

SmartMOS™
SmartMOS是一种定制分立功率器件、MCU最佳平衡，以及数字优化和模拟/分立技术。20V海量存储、250 V LED或1A数码相机等应用，均采用SmartMOS技术。我们的SmartMOS系列技术可满足客户电信及功率管理的各种要求。

代工设计服务

飞思卡尔半导体代工部自豪地推出以自有技术为基础的先进设计套件，同时以优异的支持方案满足客户需求。我们的设计套件提供内部开发的标准单元芯片和I/O库，以及存储选件。我们的设计套件支持EDA工具和设计流程。

从受过专业培训到新手，我们的支持方案为具备各种技术水平的客户提供帮助。我们提供生产设备承接客户的GDSII文件。客户可以访问他们的WIP（在制品），报告日常（生产）的最新信息。

关于设计套件和支持方案的更多信息，请联系 代工服务部.