飞思卡尔半导体采用先进的互补型金属氧化物半导体（CMOS）工艺，以及包括砷化镓、绝缘层上复矽（SOI）和功耗管理技术在内的各种专业技术提供战略代工服务，通过大量增值服务帮助您以具有竞争力的成本在竞争中率先将新产品推向市场。飞思卡尔还拥有各种电镀技术，可采用世界一流的嵌入式被动元件、蚀刻电路、共晶合金与低alpha焊膏、高引脚凸点互连、BCB钝化涂复等制程生产凸点互连和多层印刷电路板。

代工设计服务

飞思卡尔半导体代工部自豪地推出以自有技术为基础的先进设计套件。我们提供生产设备承接客户的GDSII文件。客户可以访问他们的WIP报告，报告内容每天更新。关于设计套件的更多信息，请联系代工服务部.

主要工艺技术

SOI
绝缘层上复矽（SOI）是一种 半导体晶片生产技术，与传统块硅技术相比，这种技术可生产高性能、低功耗（动态）器件。飞思卡尔半导体目前已投产及/或开发0.18μ, 0.13μ, 90nm和65nm SOI技术。飞思卡尔基于绝缘层上复矽技术的器件供货数量已达到700多万件。

RF BiCMOS (SiGe:C)
RF BiCMOS 技术通常用于中频无线产品，特别是混合信号和高密度应用。飞思卡尔提供各种经济高效的RF BiCMOS。 从低噪声SiGe:C HBT、RF CMOS到世界一流的嵌入式被动元件，客户可根据自己的应用选择最佳解决方案。

GaAs
飞思卡尔拥有满足大量无线/RF需求的各种GaAs （砷化镓）技术，在亚利桑那Tempe制造厂生产150毫米晶片。以下技术的设计套件支持同步布局/线路、采用适于所有部件的定制模型：InGaP HBT、IPD（集成式被动器件）及增强型耗尽模PHEMT。

SmartMOS™
SmartMOS技术连接电子系统与物理系统及人机接口。这些连接需要高电压，大功耗，在性质上往往为模拟连接。我们的SmartMOS系列技术可满足客户电信及功率管理的各种要求。